Jezik:
Slovenski
English
SFX by Ex Libris Inc.
Contains information about title and source of a journal
Naslov:
Progress in GaN Single Crystals: HVPE Growth and Doping
Vir:
Journal of Inorganic Materials [1000-324X] QI, Zhanguo l. 2023, letn. 38, št. 3, stran 243
List of services to meet your request
Contains list of services for current record
Basic services
Celotno besedilo
Celotno besedilo dostopno v
EZB-FREE-00999 freely available EZB journals
Sporočite napako
Hvala za posredovanje sporočila o napaki.
Leto:
Letnik:
Številka:
Začetna stran:
Dostopnost:
Odprti / prosti dostop ali arhiv.
(Opozorilo: pri nekaterih revijah so lahko dostopna le celotna besedila posameznih člankov ali posameznih številk določenega letnika).
Odprtodostopna verzija celotnega besedila preko servisa
Unpaywall
Sporočite napako
Hvala za posredovanje sporočila o napaki.
Leto:
Letnik:
Številka:
Začetna stran:
Opomba:
Prost dostop do celotnega besedila preko servisa Unpaywall.
Celotno besedilo
Celotno besedilo morda dostopno preko oznake
DOI
Zaloga po knjižnicah
Preverjanje zaloge po knjižnicah
COBISS+
Več možnosti
Dodatne storitve
Avtor
Poiščite druge članke avtorja v
Web of Science
avtor:
QI, Zhanguo
LIU, Lei
WANG, Shouzhi
WANG, Guogong
YU, Jiaoxian
WANG, Zhongxin
DUAN, Xiulan
XU, Xiangang
ZHANG, Lei
priimek
kratice
Opomba: Dostop do servisa v okviru konzorcija WoS zagotavlja Institut informacijskih znanosti (IZUM). V primeru težav pri dostopu se obrnite na e-poštni naslov
podpora@izum.si
.
Dostopnost:
Dostop je mogoč za članice konzorcija
WoS
.
Informacija o objavi
Poglejte faktor vpliva serijskih publikacij iz
ISI's Journal Citation Report (JCR) Science Edition
Opomba: Dostop do servisa v okviru konzorcija WoS zagotavlja Institut informacijskih znanosti (IZUM). V primeru težav pri dostopu se obrnite na e-poštni naslov
podpora@izum.si
.
Dostopnost:
Dostop je mogoč iz prostorov članic konzorcija
WoS
.
© 2024 SFX by Ex Libris Inc. |
Politika piškotkov
CrossRef
Omogočeno