ExLibris header image

SFX by Ex Libris Inc.

Contains information about title and source of a journal
Naslov: GaN‐based complementary metal–oxide–semiconductor inverter with normally off Pch and Nch MOSFETs fabricated using polarisation‐induced holes and electron channels
Vir:

Iet Power Electronics [1755-4535] Nakajima, Akira l. 2018, letn. 11, št. 4, str. 689 -694

List of services to meet your request

Contains list of services for current record

Basic services

Celotno besedilo

service type icon, opens target in new window
Celotno besedilo dostopno v
Wiley Online Library - AutoHoldings Journals
 
 
  Dostopnost: Dostop je mogoč iz prostorov Univerze na Primorskem.
Več možnosti
click for more options
bar corner

Več možnosti

Informacija o objavi


service type icon, opens target in new window
Poglejte faktor vpliva serijskih publikacij iz
ISI's Journal Citation Report (JCR) Science Edition
  Opomba: Dostop do servisa v okviru konzorcija WoS zagotavlja Institut informacijskih znanosti (IZUM). V primeru težav pri dostopu se obrnite na e-poštni naslov podpora@izum.si.
  Dostopnost: Dostop je mogoč iz prostorov članic konzorcija WoS.


© 2024 SFX by Ex Libris Inc. | Piškotki
CrossRef Omogočeno