ExLibris header image
 

SFX by Ex Libris Inc.

Contains information about title and source of a journal
Naslov: Enhanced Performance of 50 nm Ultra-Narrow-Body Silicon Carbide MOSFETs based on FinFET effect
Vir:

2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) [1946-0201] Kato, T l. 2020, str. 62 -65

List of services to meet your request

Contains list of services for current record


  Dostop v okviru konzorcija IEEE Xplore zagotavlja Centralna tehniška knjižnica (CTK) UL.
  Dostopno iz prostorov UL, CTK, NIB in NUK. Oddaljen dostop za študente in zaposlene UL, CTK, NIB in NUK, ki so člani knjižnic teh inštitucij.
Če se nahajate izven svoje inštitucije, po kliku na povezavo vpišite geslo za odd. dostop.


  Dostop v okviru konzorcija IEEE Xplore zagotavlja Centralna tehniška knjižnica (CTK) UL.
  Dostop je mogoč iz prostorov Univerze v Mariboru in z oddaljenim dostopom za študente in zaposlene na Univerzi v Mariboru.


  Dostop v okviru konzorcija IEEE Xplore zagotavlja Centralna tehniška knjižnica (CTK) UL.
  Dostopno iz prostorov UL, CTK, NIB in NUK. Oddaljen dostop za študente in zaposlene UL, CTK, NIB in NUK, ki so člani knjižnic teh inštitucij.
Če se nahajate izven svoje inštitucije, po kliku na povezavo vpišite geslo za odd. dostop.


  Dostop v okviru konzorcija IEEE Xplore zagotavlja Centralna tehniška knjižnica (CTK) UL.
  Dostop je mogoč iz prostorov Univerze v Mariboru in z oddaljenim dostopom za študente in zaposlene na Univerzi v Mariboru.





 
 

 
 
 

 
 
 


© 2024 SFX by Ex Libris Inc. | Cookie Policy
CrossRef Omogočeno